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日本ceramic forum半导体分析装置测量结晶 HERA FT1230 特点介绍
DLTS方法是一款高感度测量结晶缺陷导致的电子状态的良好方法。
即便是内在微小的杂质或格子缺陷也会很大程度上影响半导体材料性能,所以此类测量非常重要。
DLTS方法是一种通过将深准位捕获的carrier(比如电子)释放于Band带上后,显示其与试料结合容量的过度变化的一种手法,
从而可以得知深准位的参数(能量级别、捕获断面积)、浓度值、空间分布等信息。
日本ceramic forum半导体分析装置测量结晶 HERA FT1230 规格参数
HERA-DLTS
基本DLTS测量
数码DLTS测量
Laplace DLTS测量 包含以上3中模式
可测量范围
C/V, I/V, C(t) 测量
C/V, I/V, 特性实施
参杂浓度
势垒高度Barrier height
肖特基的理想系数
氧化膜厚度计算
DLTS测量可选项
傅里叶(Fourier)转换
Laplace转换
多指数函数过度FIT
ITS(等温过度频谱)信号再折叠
Tempscan信号再折叠
发源于德国Kassel工科大学的DLTS测量装置专业厂家。成功开发出目前在流通的DLTS系统中一款数码对应设备,同时也是世界普及DLTS系统DL-8000的研发厂家(经销商BIO-RAD)。2016年推出的FT-1230与其他竞争对手的产品相比,拥有更多的测量模式,可对应任何材料及研发人员的需求,属于一款的扩展性好的系统。