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日本otsuka大塚分光干涉式晶圆膜厚仪

日本otsuka大塚分光干涉式晶圆膜厚仪
分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3
即时检测 WAFER基板于研磨制程中的膜厚 玻璃基板于减薄制程中的厚度变化 (强酸环境中) 产品特色 非接触式、非破坏性光学式膜厚检测 采用分光干涉法实现高度检测再现性

  • 产品型号：SF-3
  • 厂商性质：经销商
  • 更新时间：2025-10-13
  • 访  问  量：7
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详细介绍

日本otsuka大塚分光干涉式晶圆膜厚仪
日本otsuka大塚分光干涉式晶圆膜厚仪

即时检测 WAFER基板于研磨制程中的膜厚 玻璃基板于减薄制程中的厚度变化 (强酸环境中) 产品特色 非接触式、非破坏性光学式膜厚检测 采用分光干涉法实现高度检测再现性 



产品特色

  • 即时检测：能够实时检测晶圆（WAFER）基板在研磨过程中的膜厚，以及玻璃基板在强酸环境中减薄过程中的厚度变化。
  • 非接触式、非破坏性：利用光学式方法进行膜厚检测，无需接触样品，不会对样品造成破坏。
  • 分光干涉法：采用分光干涉法实现高精度的检测再现性。
  • 高速检测：能够进行高速的即时研磨检测。
  • 多层检测：可以穿越保护膜、观景窗等中间层进行检测。
  • 适应性强：可以对应长工作距离，容易安装在产线或设备中。
  • 体积小：节省空间，设备安装简易。
  • 线上检测：可以对应线上检测的外部信号触发需求。
  • 算法：采用适合膜厚检测的独自解析演算法（已取得）。
  • 膜厚分布制图：可以自动进行膜厚分布制图（选配项目）。

规格样式

  • 膜厚测量范围：0.1 μm ~ 1600μm（根据不同光谱仪种类，厚度测量范围可能不同）。
  • 膜厚精度：±0.1% 以下。
  • 重复精度：0.001% 以下。
  • 测量时间：10毫秒以下。
  • 测量光源：半导体光源。
  • 测量口径：φ27μm（最小可达φ6μm）。
  • 工作距离（WD）：3 mm ~ 200 mm。



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