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日本 Wintest 晶圆验收并行电学测试设备Wintest WTS-511 是日系高速并行晶圆验收测试设备,主打 WAT 晶圆验收与 PCM 工艺管控,传统 LCR 电容测量,全通道并行电荷检测,兼容独立 / 阵列 DUT 测试。多模组通道配置适配高密度划片阵列测试,吞吐效率优异,广泛用于晶圆制造工艺缺陷监控与电性筛选。
产品型号:WTS-511
厂商性质:经销商
更新时间:2026-08-03
访 问 量:9
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日本 Wintest 晶圆验收并行电学测试设备 日本 Wintest 晶圆验收并行电学测试设备
1. 产品概述
WTS-511 是日本 Wintest 株式会社自主研发推出的专业级晶圆电学综合测试装置,专为半导体前段工艺管控打造,核心定位是晶圆验收测试(WAT)与生产线工艺监控(PCM)场景。设备摒弃传统单通道 LCR 测量低效模式,搭载全域高速并行硬件架构,实现多通道同步采集电性数据,大幅提升晶圆划片结构、测试键的检测吞吐量,同时支持器件变动筛选、晶圆缺陷全域监控,是先进制程晶圆厂工艺良率管控的核心测试设备。设备整体分为 MF 紧凑型、TH 标准型两款机身规格,适配实验室研发小批量验证与量产车间全天候连续测试两类场景。
2. 核心性能与主要特点
(1)核心性能优势
① 全域通道并行运行:整机所有激励、测量通道可同步触发动作,无需分时轮询测量,相较传统台式 LCR 测试仪检测效率提升数十倍,高密度阵列测试吞吐能力行业;
② 原生电荷测量能力:全部通道均可直接完成电荷采集,替代传统 LCR 电容测量方案,电容、半导体栅电特性测试精度更高,适配薄膜电容、MOS 器件微小电性参数检测;
③ 架构灵活兼容:硬件资源可自由调配,同时兼容独立 DUT 分立被测器件、阵列排布 DUT 高密度划片测试结构,满足不同版图设计的晶圆测试需求;
④ 全流程工艺管控:覆盖变动电性筛选、晶圆缺陷在线监控、WAT 晶圆出厂验收、PCM 生产线工艺闭环监控全流程,及时捕捉制程漂移、工艺缺陷问题。
(2)整机硬件通道性能
设备搭载多模块化测试源表,通道配置可按需选配:
测量探针:最大支持 48 针探针卡对接,适配晶圆探针台接驳测试;
SMU 源测量单元:最多 8 通道,电压量程 ±200V、电流量程 ±100mA,采样速率区间 360K~100M 采样 / 秒,高低速采样按需切换;
PMU 功率监测单元:最大 64 通道,±10V/±20mA 低压微电流测试,适配器件漏电、阈值电压细微参数测量;
DCM/AWG/FMU 多功能模组:最大 32 通道,可输出任意波形、脉冲激励,用于器件可靠性应力测试;
LCR 模块:内置 1 通道传统 LCR 单元,可作为辅助比对测量使用。
3. 整机物理参数表
表格
项目参数详情
产品型号WTS-511(MF 紧凑型 / TH 标准型)
机身重量MF:160Kg;TH:350Kg
外形尺寸MF:700mm1000mm1000mm
TH:992mm750mm891mm
探针配置上限48 针
核心测试模块SMU、PMU、DCM/AWG/FMU、LCR
4. 主要用途
晶圆验收测试(WAT):晶圆流片完成后出厂前电性参数验收,核验整片晶圆器件电性一致性;
PCM 工艺制程监控:半导体产线日常工艺波动监测,追踪薄膜沉积、刻蚀、注入等工序带来的电性偏差;
器件变动筛选 + 缺陷监控:排查晶圆漏电、电容异常、阈值漂移等电性缺陷,区分良次品晶圆;
分立器件、阵列测试键电性表征:MOS 管、电容、电阻等基础半导体器件直流、交流参数测试;
先进电容并行测量:以电荷测量替代 LCR,高精度完成微小电容、栅电容测试表征。
5. 适用行业领域
晶圆制造代工企业(Foundry):8 英寸、12 英寸先进制程产线工艺管控、出厂晶圆验收;
半导体设计公司(IC 设计):流片回来晶圆电性验证、版图结构测试优化;
高校 / 科研院所微电子实验室:半导体器件物理特性研究、新工艺研发验证;
存储芯片、功率半导体、模拟芯片厂商:器件可靠性摸底、量产良率提升测试;
半导体设备第三方检测机构:晶圆电性检测、工艺问题失效分析。