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日本sumitomo高纯铝耐腐蚀用于半导体材料等

日本sumitomo高纯铝耐腐蚀用于半导体材料等 SUMITOMO/住友

我们进口新西兰、澳大利亚、巴西铝开发项目生产的铝锭,在国内提供稳定的供应。
超高纯铝纯度高达99.9999%,用于平板显示器、半导体布线材料、低温区域传热材料等高性能领域。

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  • 更新时间:2024-06-04
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日本sumitomo高纯铝耐腐蚀用于半导体材料等 SUMITOMO/住友 特点介绍


我们进口新西兰、澳大利亚、巴西铝开发项目生产的铝锭,在国内提供稳定的供应。

超高纯铝纯度高达99.9999%,用于平板显示器、半导体布线材料、低温区域传热材料等高性能领域。


耐腐蚀性优异。

柔软,易于加工的金属。

显示出高导电率和热传导率。

可以为减轻重量做出贡献。

显示高反射率。


日本sumitomo高纯铝耐腐蚀用于半导体材料等 SUMITOMO/住友 规格参数


可提供高达99.9999%的超高纯度的各种铝。也可根据要求调整纯度、化学成分。


高纯度铝由于通过表面处理得到介电常数及绝缘性优异氧化被膜、杂质元素及异物少、电及热的传导性高等原因,所以铝作为镍电解电容器用阳极箔、硬盘基板、接合线、半导体或液晶面板用布线材料等电子用材料被广泛地利用于用途。最近,利用低温下优异的物性,也用作超导稳定化导体或热传导材料。本公司是高纯铝生产商,其技术和质量长期以来一直受到用户的高度评价。


通过在超高真空中溶解高纯度铝原料而进行纯化的方法称为超高真空溶解纯化法。其原理一般认为是铝和杂质元素的饱和蒸汽压差。在此,对以可进行工业批量生产的本公司的6N铝为原料进行超高真空溶解纯化的结果进行叙述4),5)。将原材料加工成圆柱,配置在真空槽中的冷却坩埚中。通过高频加热使原料在高真空中溶解,保持规定时间后,逐渐降低高频功率使其凝固。溶解前到达真空度为3倍10–8 Pa,溶解中的真空度为3~6倍10-6 Pa。熔化后的试样的外观和截面如Fig.3所示。位置F的上部是通过真空溶解精制的区域,通过缓慢冷却得到粗大的晶粒。高纯度超过5N时,低于成分分析的定量下限的成分增加,杂质合计值的标记困难,因此,作为高纯度的指标使用残留电阻比RRR(Residual ResistivityRatio)的情况较多。简单地说明RRR,是低温(一般为4.2K)下的导电率与室温下的导电率之比,由于材料为高纯度

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