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日本AVC 小型超高真空MBE系统设备日本 AVC 小型超高真空 MBE 系统，专为半导体及太阳能电池薄膜制备研发，可实现 3 英寸以内基板的洁净外延生长，10⁻⁹Pa 级真空环境，配备 8 端口蒸发源与实时分析模块，无需破真空即可完成基板传输。
产品型号：标准型厂商性质：经销商更新时间：2026-05-09访 问 量：11
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日本AVC 小型超高真空MBE系统设备 日本AVC 小型超高真空MBE系统设备
超高真空洁净环境：成膜室真空度可达 10⁻⁹Pa 级，采用 IP/TSP 排气系统，可选配 LN₂冷却屏蔽罩，有效降低背景杂质污染，保障薄膜生长质量。
多源集成与基板适配：配备 8 端口蒸发源，支持 K-cell、EB、等离子体气体源等多种可选配置；兼容 3 英寸以内基板，自带旋转机构，基板加热 / 冷却功能可按需选配。
高效基板传输设计：搭载超高真空传输机构与载荷锁室，无需破坏主真空环境即可完成基板装卸，大幅提升实验效率与设备利用率。
实时监测与分析能力：可选配 RHEED 装置、高精度温度监测器 BandiT 及薄膜应变 / 应力监测器 MOS，实现薄膜生长过程的原位监控与质量评估。
| 项目 | 参数 / 说明 |
|---|---|
| 成膜室真空度 | 10⁻⁹Pa 级，IP/TSP 排气系统（可选 LN₂屏蔽罩） |
| 蒸发源端口 | 8 端口，支持 K-cell、EB、等离子体气体源等多种可选配置 |
| 基板适配 | ~3 英寸，带旋转机构；加热 / 冷却功能可选配 |
| 基板传输 | 超高真空传输机构，缓冲室配备 300l/s 磁悬浮 TMP 排气系统 |
| 可选分析模块 | RHEED 装置 + kSA400 解析系统、BandiT 温度监测器、MOS 应力监测器 |
半导体薄膜研发：化合物半导体、二维材料外延生长，用于器件性能优化与新型材料开发。
太阳能电池制备：薄膜太阳能电池吸收层、缓冲层生长，提升电池光电转换效率与稳定性。
表面科学研究：薄膜生长动力学、界面反应机理研究，为基础材料科学提供关键实验平台。
教学与实验室应用：高校及科研院所薄膜制备实验教学，支持定制化实验方案开发。
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