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日本AVC 超高真空 腔室及脱气处理设备日本 AVC 超高真空腔室采用 SUS316 复合电解研磨工艺，经 450℃/10h 真空脱气处理，极限真空度可达 6.6×10⁻¹⁰Pa，可定制多端口结构，广泛应用于半导体、表面科学等对真空环境要求严苛的场景。
产品型号：定制型厂商性质：经销商更新时间：2026-05-09访 问 量：11
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日本AVC 超高真空 腔室及脱气处理设备 日本AVC 超高真空 腔室及脱气处理设备
高洁净度腔室制造：采用 SUS316 不锈钢材质，经复合电解研磨处理，内壁光滑度高，可减少气体吸附与释放，为后续脱气处理奠定基础。
专业真空脱气处理工艺：在无油排气系统（TMP + 干泵）下，对腔室进行 150~220℃烘烤（最长 72 小时），或 450℃/10h 高温脱气处理，有效抑制材料气体释放，极限真空度可达 10⁻⁹~10⁻¹⁰Pa 级。
定制化设计与多端口适配：支持多端口结构定制，可根据实验需求配置法兰接口，兼容离子泵、吸气泵、涡轮分子泵等多种排气系统，满足不同实验设备的集成需求。
全流程质量管控：脱气处理过程中通过残余气体分析（Qmass）实时监测，确保腔室内部杂质含量降至，为实验提供稳定可靠的真空环境。
| 项目 | 参数 / 说明 |
|---|---|
| 腔室材质 | SUS316 不锈钢，复合电解研磨处理 |
| 脱气处理工艺 | 450℃/10h 高温脱气或 150~220℃烘烤（72 小时） |
| 极限真空度 | 6.6×10⁻¹⁰Pa（离子泵 + 吸气泵排气） |
| 排气系统配置 | 可选配涡轮分子泵、离子泵、吸气泵等，无油排气设计 |
| 腔室定制 | 支持多端口、不同容积（如 8L）定制，兼容多种法兰标准 |
半导体与薄膜制备：分子束外延（MBE）、化学气相沉积（CVD）等设备的核心腔室，保障薄膜生长的高洁净环境。
表面科学研究：LEED、AES、XPS 等表面分析设备的真空腔体，避免外界杂质干扰实验结果。
粒子物理与航天领域：深空探测样品分析、粒子加速器等设备的超高真空部件，对环境洁净度要求。
工业精密实验：低气压下材料性能测试、微量气体分析等场景，需稳定超真空环境的实验。
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