日本 西雅衣家 加热易潮材料晶体生长设备

日本 西雅衣家 加热易潮材料晶体生长设备 日本 西雅衣家 加热易潮材料晶体生长设备

1. 产品概述

H-01 是 C&A 推出感应加热式 Bridgman 布里奇曼单晶生长炉，基于垂直下降法工艺，专门针对卤化物、闪烁晶体、红外光学等极易吸潮、易氧化材料开发。

设备采用可拆卸式密闭生长腔体，可在常规实验室环境下完成防潮晶体生长；射频感应线圈位置可自由调节，精准匹配原料所需温场梯度；整机搭载自动数据存储系统，完整记录温度、下拉速度、气氛全流程参数，支持本地触摸屏、上位电脑双模式操控，广泛用于红外探测、辐射闪烁、特种半导体晶体科研小批量制备。

2. 设备工作原理

5~10kW 射频感应线圈对密封坩埚进行电磁感应升温，将高纯易潮原料在密闭腔体中熔融；伺服机构匀速向下移动坩埚，熔体沿温度梯度缓慢定向凝固生成完整块状单晶；可拆卸腔体便于快速密封装填吸潮原料，隔绝空气水汽；可移动射频线圈上下调整，优化固液界面温度梯度，减少晶体裂纹、组分偏析；系统全程自动采集并保存温度、位移、速度时序数据，可实时调取、导出用于工艺复盘。

3. 核心规格参数

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参数项目H-01 Bridgman 单晶炉技术指标

RF 射频电源功率5 ~ 10 kW 可调区间

极限最高温度1000 ~ 1500℃（由加热源与坩埚材质决定）

单晶下拉速度0.01 ~ 200 mm/min 连续可调

感应振荡频率固定 50 kHz

供电规格三相 200V ±10%，50/60Hz 工业电源

工艺控制方式7 寸触摸屏本地独立控制 / PC 电脑远程编程控制

腔体结构可拆卸式密闭生长腔体，适配易潮原料无水操作

温场调节结构轴向可移动射频感应线圈，自由优化结晶温梯

数据记录整机系统自动全程存储全部生长工艺曲线数据

4. 整机硬件配置

（1）标准出厂标配

5~10kW 射频感应加热主机、轴向可移动水冷感应线圈总成

可拆卸密封式生长腔体、透明防护外框、无水无氧装填工位

高精度伺服垂直下降机构，0.01mm/min 低速稳定输出

内置大容量工艺数据存储单元，完整记录全流程时序曲线

一体式电控操作台：触控显示屏、闭环温度控制模块、安全联锁保护

Windows 上位机测控软件，工艺编辑、曲线导出、历史数据查询

（2）可选拓展配件

无水无氧手套箱对接套件，全程隔绝水汽装填原料

多路 MFC 高精度气氛控制器，惰性 / 还原气氛精准配比

前置真空机组，实现高真空密闭生长环境

各类耐腐蚀、防潮专用坩埚（石英、铂、石墨、氮化硼）

远程数据监控终端、尾气处理装置、腔体露点监测模块

5. 核心应用与可制备单晶品类

典型应用场景

红外探测、辐射成像用卤化物、溴化物、碘化物易潮单晶；

高能辐射探测闪烁晶体、紫外 / 红外非线性光学晶体研发；

易吸潮半导体、离子晶体定向凝固生长工艺探索；

高校、光电科研院所新材料配方、温场、下拉速度正交试验。

代表制备材料

CsI、NaI、溴化镧、卤化物红外晶体、氟化物闪烁单晶、低熔点易潮光学功能晶体。

6. 六大核心产品优势

可拆卸密闭腔体：专为吸潮原料设计，常规实验室环境即可完成无水装填，大幅降低原料水解报废率；

可移动射频感应线圈：轴向自由调整位置，精准优化结晶界面温度梯度，抑制组分偏析与开裂；

宽幅下拉速度区间：0.01mm/min 极低低速适配精细定向凝固，200mm/min 高速满足快速工艺筛选；

全流程自动数据记录：温度、位移、速度时序曲线本地自动存储，无需人工记录，工艺可复现、可追溯；

双模式便捷操控：触摸屏单机独立运行，电脑上位机批量编辑多段复合生长程序；

中小功率适配低熔点晶体：5~10kW 射频功率，温控精度高，能耗更低，适配 1500℃以内卤化物、闪烁晶体。

7. C&A 全系列单晶生长设备产品线区分对比

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设备型号生长工艺射频功率极限温度核心适用场景

H-01（本品）Bridgman 布里奇曼下降法5~10 kW1000~1500℃易潮卤化物、闪烁晶体、低熔点红外块状单晶

C-01CZ 直拉丘克拉斯基法40 kW2100℃大尺寸氧化物激光、蓝宝石块状单晶

O-01μ-PD 微下拉纤维单晶法20 kW2500℃细径单晶光纤、超高熔点特种纤维晶体

8. 使用注意事项

1500℃温度上限受坩埚与射频功率限制，卤化物原料长期稳定使用建议≤1300℃；

处理极易潮解碘化、溴化物晶体时，建议选配手套箱对接组件，全程隔绝空气水汽；

腔体每次开合后需充分抽真空置换惰性气体，避免残留水汽污染熔体；

低速生长阶段需定期校准伺服原点，防止坩埚偏移造成单晶径向尺寸不均；

射频线圈必须持续开启水冷，长时间高温运行严禁断水，避免线圈氧化烧损。