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日本 西雅衣家 真空电弧熔融单晶设备C&A T-01 采用四路独立电弧加热,200A 电弧发生源,真空密闭腔体适配超高熔点难熔材料;0~10rpm 晶体旋转,伺服低速提拉 0~39mm/h、高速固定 175mm/min,行程 150mm;配套 240L/s 分子泵真空机组,坩埚内熔体温度均匀,腔体易清洁,电脑全程管控,用于难熔金属、超高温氧化物单晶研发制备。
产品型号:T-01 Tetra arc
厂商性质:经销商
更新时间:2026-07-08
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日本 西雅衣家 真空电弧熔融单晶设备 日本 西雅衣家 真空电弧熔融单晶设备
1. 产品概述
T-01 是 C&A 推出四电弧加热式 Czochralski 直拉单晶炉,区别于射频感应加热机型,依靠四路对称电弧等离子体实现超高温熔融,专门面向钨、钼、铌、超高熔点陶瓷、稀土难熔氧化物等常规感应炉无法熔融的材料开发。
设备全金属真空密闭腔体,四路电弧对称布置,坩埚全域温场均匀无局部过热点;全套高真空分子泵机组快速抽至高真空隔绝氧化污染;伺服双速提拉系统适配引晶、等径完整工艺,腔体内部可拆卸结构便于清理熔融溅射杂质,整机由工业电脑自动化管控生长全流程,广泛用于难熔金属单晶、高温功能晶体前沿科研。
2. 设备工作原理
四路独立 200A 电弧发生器产生等离子电弧,从四周对称轰击坩埚内高纯原料,依靠电弧辐射热实现数千摄氏度超高温熔融;伺服驱动籽晶杆浸入熔体液面完成引晶,0~10rpm 匀速旋转晶体配合精准提拉,在均匀温场下生长块状单晶;整机密闭真空腔体由分子泵 + 机械泵组合抽至高真空环境,杜绝高温原料氧化;全程采集电弧电流、转速、提拉位移、真空度时序数据,电脑实时监控并存储工艺曲线,腔体可拆卸设计可快速清理电弧溅射残留杂质。
3. 核心规格参数
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参数项目T-01 Tetra arc 单晶炉技术指标
电弧发生 / 吸气源额定电流200 A
晶体旋转转速0 ~ 10 rpm 连续可调
低速伺服提拉速度0 ~ 39 mm/h(伺服电机闭环控制)
高速提拉档位固定 175 mm/min
籽晶提拉总行程150 mm
真空排气机组配置涡轮分子泵 240L/s + 旋片机械泵 200L/min
加热方式四路对称电弧等离子体辐射加热
生长工艺控制工业电脑全自动程序控制
腔体特性全金属真空密闭腔体,内部易拆解清洁污染物
温场优势四路电弧对称布局,坩埚熔体全域温度均匀
4. 整机硬件配置
(1)标准出厂标配
四路独立 200A 电弧发生电源、对称电弧电极总成、水冷电弧枪组件
全金属密封真空生长腔体、可拆卸内衬、快速清洁结构
高精度伺服提拉旋转机构,双速区间覆盖引晶、等径、收尾全流程
高真空机组:240L/s 涡轮分子泵 + 200L/min 旋片机械泵、真空压力联锁保护
工业上位控制电脑、全套晶体生长编程、数据存储与曲线分析软件
整机水冷循环系统、电弧过载保护、真空泄漏报警安全模块
(2)可选拓展配件
各类耐高温金属坩埚(钨、钼、钽、铱等适配不同难熔原料)
多路微量气氛 MFC 进气模块,惰性 / 还原气氛精准配比
直径闭环自动稳径控制系统,等径生长全自动调节提拉速度
腔体在线 CCD 视觉观测模组,实时监控熔体液面与结晶界面
远程工业监控终端、尾气过滤处理装置、高温隔热屏蔽组件
5. 核心应用与可制备单晶品类
典型应用场景
超高熔点难熔金属、金属合金单晶材料基础科研;
高温氧化物、稀土陶瓷、耐火功能块状单晶制备;
电弧熔融温场、提拉转速、真空氛围正交工艺试验;
高校、航天材料、特种光电企业超高温新材料小批量试样研发。
代表制备材料
钨、钼、钽、铌难熔金属单晶、超高熔点稀土氧化物、耐火陶瓷单晶、环境传感特种功能晶体。
6. 六大核心产品优势
四路对称电弧加热:相比单电弧设备坩埚熔体温度均匀,无局部过热偏析,大幅降低晶体裂纹、包裹体缺陷;
超高温熔融能力:电弧等离子体可实现远超射频感应炉的熔融温度,覆盖各类难熔金属、耐火陶瓷原料;
双区间宽幅提拉速度:低速 0~39mm/h 适配精细引晶、等径稳径生长,高速 175mm/min 满足快速换料、工艺调试;
高真空密闭环境:分子泵复合真空机组快速获得高真空,隔绝空气,防止高温难熔原料氧化挥发;
易清洁腔体结构:内部可拆卸内衬,电弧溅射杂质可快速拆解清理,减少交叉污染;
全电脑自动化流程:电弧电流、转速、提拉、真空时序整套工艺一键执行,工艺文件存档可重复调用,数据完整可追溯。
7. C&A 全系列单晶生长设备产品线区分对比
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设备型号加热方式核心热源功率 / 电流极限适用温度核心适用场景
T-01(本品)四电弧等离子加热200A 电弧源数千℃,超高熔点难熔材料钨钼等难熔金属、超高温耐火陶瓷块状单晶
C-0140kW 射频感应加热40kW RF2100℃中高温氧化物激光、蓝宝石块状单晶
O-0120kW 射频感应加热20kW RF2500℃细径单晶光纤、高熔点特种纤维晶体
H-015~10kW 射频感应加热5~10kW RF1000~1500℃易潮卤化物、闪烁体低熔点块状单晶
8. 使用注意事项
电弧加热温度,腔体运行阶段水冷系统必须全程不间断开启,防止腔体、电温变形损坏;
难熔金属原料熔融过程会产生金属溅射,每次实验完成后需拆解腔体内衬清理,避免下次实验杂质污染;
真空系统启动需严格遵循机械泵预抽、分子泵开启顺序,禁止分子泵带大气启动造成泵体损坏;
低速引晶阶段需定期校准伺服提拉原点,防止籽晶偏移导致单晶径向尺寸大幅波动;
氢气还原气氛工况必须配套防爆气路、氢气泄漏检测、尾气燃烧处理安全装置。