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日本 Thermo 理工 真空升温红外加热设备日本 Thermo 理工红外线导入加热装置,可在超高真空、加压气氛、惰性气体等环境下实现样品非接触精准红外加热。最高升温速率 150℃/s,最高温度可达 1600℃,仅局部加热样品不升温腔体;适配 XRD、XPS、半导体退火等科研场景,支持多种真空腔体搭载,洁净无干扰,多款规格可选。
产品型号:GV/GVH/GVP 系列
厂商性质:经销商
更新时间:2026-07-31
访 问 量:8
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日本 Thermo 理工 真空升温红外加热设备 日本 Thermo 理工 真空升温红外加热设备
一、产品概述
本产品为日本株式会社サーモ理工(Thermo 理工)主力机型 —— 红外线导入加热装置,依托椭圆反射镜聚光红外原理,采用非接触式红外辐照加热方式,可适配超高真空、常压空气、加压气氛、氢气 / 氮气等各类气体氛围环境,只对被测样品定点加热,周边腔体环境几乎无温升。设备可便捷对接 ICF70 标准法兰真空腔体、各类表面分析仪器,广泛应用于材料科研、半导体研发、薄膜制备领域,凭借极速升降温、洁净加热、局部定点温控核心优势,成为实验室原位表征配套主流加热设备。
二、核心性能特点
极速升降温能力
最高升温速度可达 150℃/sec,1 分钟内即可升至 1500℃,升降温斜率可精准调控;兼顾慢速梯度升温机型,适配不同材料热实验需求。
洁净无干扰加热
红外光辐射加热,无电阻丝挥发、无电磁感应干扰、无热源放气问题,超高真空环境下不会污染腔体与样品,适配超洁净科研实验。
定点局部加热
红外光束聚焦于样品区域,腔体、支架不被加热,避免整体腔体热变形、真空度波动,保障真空系统稳定运行。
多场景环境适配
覆盖超高真空、高速变温、大气环境、加压密闭气氛四大基础工况,还可定制磁场内加热、载荷加压加热、快速降温等特殊非标机型,支持 CE 认证定制。
模块化易安装
标配 ICF70 通用真空法兰,可直接装配各类真空腔体、XPS/XRD/PLD 等分析设备,拆装便捷,兼容性。
三、全系列型号及详细参数对照表
1. 超高真空型 GVH 系列(极限超高真空环境专用)
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参数项目GVH198GVH298
红外灯额定功率1kW2kW
最高可达温度1200℃1400℃
加热聚焦面积φ20mmφ20mm
最大升温速率1℃/sec1℃/sec
极限真空度5×10⁻⁹ Pa5×10⁻⁹ Pa
冷却水消耗量1L / 分钟2L / 分钟
2. 高速变温型 GV / GVL 系列(科研极速退火主流款)
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参数项目GV154GV198GVL298GVL398
红外灯功率500W1kW2kW3kW
最高温度1100℃1300℃1500℃1600℃
加热面积φ14mmφ20mmφ20mmφ20mm
升温速率100℃/s100~150℃/s100~150℃/s100~150℃/s
极限真空度5×10⁻⁷ Pa5×10⁻⁷ Pa5×10⁻⁷ Pa5×10⁻⁷ Pa
冷却水流量1L/min1L/min2L/min2L/min
3. 加压气氛型 GVP 系列(密闭高压气氛环境)
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参数项目GVP198GVP298
红外功率1kW2kW
最高温度1200℃1300℃
加热面积φ20mmφ20mm
升温速度100℃/sec100℃/sec
最大耐压≤1MPa(10 个大气压)≤1MPa(10 个大气压)
冷却水1L/min2L/min
通用基础规格
安装接口:ICF70 标准真空法兰
可选配置:整机 CE 合规版本、各类特殊工况定制机型
四、主要应用用途
半导体材料:硅、碳化硅、石墨烯晶圆快速升温、退火工艺实验;
薄膜与晶体研发:酸化气氛下氧化物晶体生长、功能薄膜制备;
气氛热处理:氢气、氮气惰性气氛下基板高温烘烤;
原位表征配套:XRD、XPS、升温脱附分析、PLD 镀膜设备内部样品原位加热;
物理性能实验:磁场环境加热、带机械载荷加压加热、加压密闭气氛热处理;
新材料热物性测试:紫外 / X 射线辐照同步升温实验。