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NGK 日本碍子 半导体晶圆陶瓷静电载台设备NGK 半导体静电吸盘采用氮化铝(AlN)/ 氧化铝(Al₂O₃)陶瓷基材,支持 200/300/450mm 晶圆,具备库仑两种吸附机制。温度适用范围 - 50~700℃,导热性优异,耐卤素腐蚀,可集成加热、冷却、RF 电极功能,满足半导体刻蚀、薄膜工艺晶圆夹持需求。
产品型号:
厂商性质:经销商
更新时间:2026-08-06
访 问 量:11
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NGK 日本碍子 半导体晶圆陶瓷静电载台设备 NGK 日本碍子 半导体晶圆陶瓷静电载台设备
适配晶圆尺寸:200mm、300mm、450mm
吸附机制:(AlN 氮化铝)、库仑型(Al₂O₃氧化铝)
电极形式:单极 / 双极可选
工作温度区间:-50℃ ~ 700℃
AlN 材料可选 HA-12 / HA-37/38 / HA-50/51 多个材质规格,纯度最高 99%,热导率 80~170W/mK。
ESC-JR 系列:AlN 氮化铝 静电吸盘(高导热款)
ESC-C 系列:Al₂O₃氧化铝 库仑型静电吸盘(经济型)
可根据晶圆尺寸、是否集成加热 / 冷却、电极形式进行客制化定制。