日本 NGK 半导体氮化铝 AlN 陶瓷晶圆加热台

日本 NGK 半导体氮化铝 AlN 陶瓷晶圆加热台NGK 氮化铝 AlN 陶瓷加热器专为半导体晶圆制程打造，适配 200/300/450mm 晶圆，最高使用温度 800℃，具备优异温度均一性，600℃工况温差可控制在 ±0.1% 以内。内置 RF 电极可实现晶圆静电吸附，耐卤素腐蚀，广泛用于 CVD、ALD 等薄膜沉积设备。

产品型号：CH-AlN 系列
厂商性质：经销商
更新时间：2026-08-06
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联系电话：13823182047

日本 NGK 半导体氮化铝 AlN 陶瓷晶圆加热台 日本 NGK 半导体氮化铝 AlN 陶瓷晶圆加热台

1. 产品性能

本款 NGK AlN 氮化铝陶瓷加热器以高导热氮化铝陶瓷为基材，发热体与 RF 电极一体共烧成型，陶瓷轴与加热盘直接键合，结构紧凑。拥有超高温度均匀性，工作温度最高可达 800℃，600℃区间温度偏差＜±0.1%；耐受卤素、氧化腐蚀气体，适配半导体真空腔体环境。陶瓷内置 RF 电极，可兼具晶圆静电吸附功能，减少设备部件集成空间。

2. 核心参数

适配晶圆尺寸：200mm、300mm、450mm
供电规格：100~200V，15~50A
电极连接：Ni 镍棒，钎焊 / 螺栓两种连接方式
基材：氮化铝 AlN（HA-12/HA-37/HA-50 多种材质可选）
材质特性：热导率 80~170W/mK，绝缘性能优异，热膨胀系数稳定，抗弯强度＞250MPa

3. 产品型号

CH-AlN 系列，命名规则：CH-AlN-[晶圆尺寸 mm]，例如 CH-AlN-200、CH-AlN-300、CH-AlN-450；可根据分区温控需求、耐高温需求拓展后缀型号。

4. 产品用途

作为半导体真空设备核心载台，承载硅晶圆并实现高精度恒温加热，可同步完成晶圆静电夹持。应用于薄膜沉积、热处理、退火、刻蚀前预热等工艺。

5. 使用行业

半导体芯片制造、优良封装、功率半导体、化合物半导体行业；适配 CVD、ALD、PVD、氧化扩散等半导体工艺设备。

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