日本cellsystem发光二极管LED光源功率低

日本cellsystem发光二极管LED光源功率低 Iris 特点介绍

複数の発光ダイオードの光を合成して対象セルを均一に照射

日本cellsystem发光二极管LED光源功率低 Iris 规格参数

光源部新设计的工程引擎，可合成覆盖有效光谱频带的多个发光二极管的光，均匀照射对象单元。由于可产生任意的光谱分布，因此不仅可以再现太阳光照射环境，还可以再现室内照明下和特殊照明条件。高效率的电光转换大大降低了电力消耗，而且没有热线频带的光辐射，因此不需要水冷装置。光源的寿命比传统的氙气/卤素灯长了一个位数。

1.照射光源部（合波/照明模块、LED）使用的LED 400～800nm:28种LED 400～1100nm:34种LED光谱特性接近AM1.5G的光谱特性±10%以内（Class-A）（但辐射照度为100mW/cm2）其中）照射面积有效IRIS-1:□100mmIRIS-2:□200mm照射强度48mW/cm2（400-800nm）中的积分辐射照度）75mW/cm2（400-1100nm中的积分辐射照度）照度稳定性±0.5%/h以内（但点亮30分钟后）（Class-A）位置不均匀度±2～5%以内（有效照射面积200mm/100mm角内）±1～2%以内（有效照射面积50mm/20mm角内）照射方向垂直向下照射距离200mm冷却方式强制空冷