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日本ARIOS 2英寸实验室小型磁控溅射设备日本 ARIOS 2 英寸小型磁控溅射装置，集成磁控管阴极与基板加热机构，采用 JIS 机架紧凑型设计，适配 DC/RF 电源，支持基板加热与升降调节，可用于实验室薄膜沉积工艺，节省空间且易于操作。
产品型号：溅射装置厂商性质：经销商更新时间：2026-05-06访 问 量：27
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日本ARIOS 2英寸实验室小型磁控溅射设备 日本ARIOS 2英寸实验室小型磁控溅射设备
紧凑型设计，节省安装空间：仅需约半张办公桌的空间即可安装，小型轻量化简约设计，适配实验室有限空间布局。
性能对标大型设备：虽为小型设备，却拥有与正规溅射装置同等的规格和性能，可满足基础薄膜沉积工艺需求。
基板调节灵活：通过基板升降机构，可任意设定靶材与基板之间的距离，适配不同工艺参数要求。
基板加热功能：基板加热温度最高可达 500℃（可选支持最高 800℃），满足高温成膜工艺需求。
双电源模式可选：溅射电源支持 DC 输出 500W 或 RF 输出 300W，适配不同靶材与工艺类型。
冷却方式：标准配备冷水机，仅需电力和气体即可运行，水冷式设计可有效控制设备温度。
模式切换灵活：法兰具有互换性，可灵活切换为溅射向上或溅射向下模式，适配不同工艺布局需求。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 到达压力 | 3×10⁻⁴ Pa 以下 |
| 泄漏量 | 1×10⁻⁸ Pa・m³/sec 以下（不含 O 型圈透过量） |
| 排气系统 | TMP + 隔膜泵 |
| 真空计 | 全量程真空计（冷阴极 + 皮拉尼真空计） |
| 基板台 | 2 英寸兼容台 |
| 基板加热温度 | 最高 500℃（可选支持最高 800℃） |
| 基板升降机构 | 行程 100mm 手动操作 O 型圈轴密封 |
| 阴极类型 | 磁控管阴极 |
| 目标尺寸 | 2 英寸 |
| 目标材质 | 支持机械夹持或键合方式安装 |
| 冷却方式 | 水冷式（搭载冷却器） |
| 电源配置 | DC 输出 500W 或 RF 输出 300W |
实验室薄膜沉积工艺研发，如金属膜、氧化物膜、半导体膜等制备
小批量样品制备与工艺验证，适配高校、科研院所研发需求
对设备空间占用有要求的场景，如桌面级实验室或小型研发中心
可根据客户需求进行定制化设计，适配特殊工艺或非标成膜需求
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