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日本AVC 超高真空表面分析装置日本 AVC 超高真空表面分析装置，专为半导体与模型催化剂领域设计，搭载 LEED/AES 质谱仪与 EB 蒸发器，可进行 LEED 衍射像、俄歇分析及升温脱附分析，支持超高真空环境下的表面结构与成分分析。
产品型号：标准型LEED/AES厂商性质：经销商更新时间：2026-05-09访 问 量：11
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日本AVC 超高真空表面分析装置 日本AVC 超高真空表面分析装置
多技术集成分析：搭载 LEED/AES 质谱仪，可同时实现 LEED 衍射像分析（表面晶体结构表征）、俄歇电子能谱分析（表面元素成分与价态分析），结合升温脱附分析，全面解析表面物理化学特性。
超高真空环境保障：分析室真空度可达 10⁻⁸Pa 级（标配 TMP 排气），可选配 IP 排气系统升级至 10⁻⁹Pa 台，避免外界气体干扰，确保表面分析的准确性与可靠性。
样品制备与处理能力：配备超高真空蒸发源（AEV 系列）与氢气裂解，支持金属薄膜制备与表面活化处理；采用直接通电加热式样品架，适配不同样品的加热需求。
高精度样品操控：样品操纵器支持 X、Y、Z、θ 及面内旋转轴的 5 轴操作，可实现样品的精准定位与多角度分析，满足复杂表面表征需求。
自动化操作流程：标配全自动排气控制系统与触摸屏操作界面，简化超高真空系统的启停与维护流程；配备样品装载锁机构，实现样品快速导入与分析。
| 项目 | 参数 / 说明 |
|---|---|
| 表面分析系统 | LEED/AES 质谱仪 |
| 蒸发源 | 超高真空蒸发源 AEV 系列 |
| 气体源 | 氢气裂解枪 AEV 系列 |
| 样品加热方式 | 直接通电加热式（TC 接触式样品架） |
| 样品操纵器 | 5 轴操作（X,Y,Z,θ，面内旋转轴） |
| 升温脱附分析 | 四极杆质谱仪 |
| 气体导入系统 | 高精度可变漏气阀 |
| 分析室真空度 | 标配 10⁻⁸Pa 级（TMP 排气），可选配 IP 排气系统升级至 10⁻⁹Pa 台 |
| 样品导入 | 标准配备样品装载锁机构 |
| 真空控制 | 全自动排气控制，搭载触摸屏操作界面 |
半导体材料研究：晶圆表面晶体结构表征、薄膜成分分析、界面反应动力学研究，助力半导体工艺优化与材料性能提升。
模型催化剂研发：催化剂表面活性位点分析、反应中间体表征、催化反应机理研究，为新型催化剂开发提供关键数据支持。
表面科学基础研究：金属表面重构、吸附动力学、表面反应路径等基础物理化学过程的多维度表征。
材料表面改性评估：薄膜沉积工艺效果验证、表面处理前后成分与结构变化分析，优化材料表面改性方案。
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