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日本 西雅衣家 感应加热光纤晶体生长设备C&A O-01 采用 20kW 射频感应加热,最高温可达 2500℃,适配高熔点单晶微下拉制备;升降拉速 0.01~200mm/min,支持 Ar/N₂/O₂/H₂/ 空气多气氛;可 50~300℃/cm 宽范围调节温度梯度,内置 CCD 实时观测固液界面,触控 / 电脑双模式温控,多用于蓝宝石光纤、特种功能单晶研发。
产品型号:O-01 μ-PD
厂商性质:经销商
更新时间:2026-07-08
访 问 量:8
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日本 西雅衣家 感应加热光纤晶体生长设备 日本 西雅衣家 感应加热光纤晶体生长设备
1. 产品概述
O-01 是 C&A 推出感应加热式 μ-PD 微下拉单晶生长炉,专为微下拉法纤维状、细径单晶材料开发,依托射频感应实现超高温熔融,可制备蓝宝石、氧化物、氟化物等高熔点单晶光纤与细棒单晶。
设备采用石英腔体或金属密闭腔体,搭配 CCD 视觉系统实时直观观察熔体 - 晶体固液界面;温度梯度、下拉速度、气氛、升温曲线全流程可编程,适配实验室新材料配方探索与小批量单晶试样制备,广泛应用光学、激光、半导体、功能陶瓷科研领域。
2. 设备工作原理
20kW 射频感应线圈对坩埚进行电磁感应加热,将原料熔融形成稳定熔体液面;籽晶从坩埚底部微孔向下牵引,伺服系统精准控制下拉速度,在可控温场梯度下持续生长连续单晶纤维 / 细棒;腔体通入保护 / 反应气氛隔绝氧化;CCD 相机全程采集固液界面形貌,便于实时调整工艺参数;整套温控、拉晶程序可通过触控面板或上位 PC 全自动运行,完整记录温度、速度、气氛时序数据。
3. 核心规格参数
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参数项目O-01 μ-PD 单晶炉技术指标
RF 射频电源功率20 kW
极限最高温度~2500℃(取决于坩埚材质)
单晶下拉速度0.01 ~ 200 mm/min
可用气氛种类Ar、N₂、O₂、空气、H₂
温度梯度可调区间50 ~ 300 ℃/cm
操作控制方式触摸屏本地控制 / PC 上位机远程控制
腔体可选材质石英管腔体、金属密封腔体
观测系统CCD 高清视觉,实时观测固液界面
4. 整机硬件配置
(1)标准出厂标配
20kW 射频感应加热主机、感应线圈热区总成
密闭腔体(石英 / 金属二选一)、气氛气路分配系统
高精度伺服下拉机构,0.01mm/min 低速稳定输出
CCD 在线视觉观测模组、高清成像采集
一体式电控柜:7 寸触控操作屏、温度闭环控制模块
配套上位机测控软件,支持程序编辑、数据存储导出
(2)可选拓展配件
各类定制耐高温坩埚(铱、钼、钨等适配不同熔点材料)
气氛高精度质量流量控制器 MFC 多路拓展
真置机组,实现低真空 / 高真空复合气氛环境
水冷循环机组、坩埚自动升降支架、多规格籽晶夹具
5. 核心应用与可制备单晶品类
典型应用场景
光学单晶光纤、激光增益晶体、非线性光学晶体研发;
氧化物、氟化物、陶瓷基细径功能单晶小批量制备;
高熔点新材料熔融、结晶机理基础科研;
单晶生长工艺梯度、气氛、拉速正交试验。
代表制备材料
蓝宝石单晶光纤、YAG、YVO₄、氟化物激光晶体、氧化物透明陶瓷单晶、特种红外传感单晶。
6. 六大核心产品优势
超宽高温区间:最高 2500℃,覆盖绝大多数高熔点氧化物、氟化物单晶熔融需求;
大范围温场梯度可调:50~300℃/cm 自由设定,匹配不同晶体结晶热力学需求;
宽幅下拉速度区间:低速 0.01mm/min 至高速 200mm/min,兼顾细径纤维与粗棒单晶;
多气氛兼容设计:氧化、还原、惰性、空气气氛直接切换,适配易氧化 / 易挥发原料;
双模式操控:本地触摸屏独立运行,电脑上位机远程编程、批量工艺存储调用;
可视化生长监控:CCD 实时观测固液界面,无需开炉即可判断结晶状态,大幅减少试样报废。
7. 同行业设备产品线区分对比
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设备型号加热方式极限温度核心适用场景
O-01(本品)射频感应加热2500℃μ-PD 微下拉纤维单晶、光纤单晶、实验室研发小试样
常规电阻加热单晶炉电阻丝 / 钼棒加热≤1800℃低熔点氧化物、大尺寸块状晶体
电弧熔融单晶炉电弧放电3000℃+超难熔金属、陶瓷熔炼,无法连续拉晶
8. 使用注意事项
2500℃极限温度受坩埚材质限制,铱坩埚长期使用上限约 2200℃,钨 / 钼坩埚适配更高温;
氢气还原气氛使用时需配套安全防爆气路、尾气处理装置;
石英腔体仅适用于中低温、无强腐蚀气氛;高温 / 还原气氛建议选用金属密封腔体;
下拉速度低于 0.1mm/min 时需定期校准伺服原点,保证单晶直径均匀性;
高温运行阶段必须持续开启水冷系统,防止射频线圈与电控柜过热损坏。