日本 HORIBA 堀场 蚀刻终点在线监测光谱仪

日本 HORIBA 堀场 蚀刻终点在线监测光谱仪 日本 HORIBA 堀场 蚀刻终点在线监测光谱仪

1. 产品概述

EV-140C 光发射光谱蚀刻终点监测仪是 HORIBA 面向半导体、FPD、MEMS 等离子工艺推出的在线工艺控制系统。设备采集等离子体特征发射光谱，实时识别反应层刻蚀终点，同时持续监控等离子状态漂移、腔体污染异常。

搭载Rapture Intensity 信号算法，针对微弱光谱变化场景优化，可稳定识别开口率＜0.2% 的微细蚀刻终点；配套完整 Sigma-P 工艺软件生态，支持配方自动生成、数据回溯、SPC 统计分析，广泛集成干法刻蚀、PECVD、等离子清洗设备。

2. 详细规格参数

表格

参数项目技术指标

光谱波长范围200 ~ 800 nm

光学结构像差校正平场凹面光栅，焦距 140mm，F/2 亮光学系统

光学分辨率＜2.0 nm（200~500nm）；＜2.5 nm（500~700nm）

内置组件二阶衍射滤光片

探测器背照式线性 CCD 图像传感器 2048×64 像素

A/D 采样精度16bit

积分曝光时间20ms ~ 2.5s，步长 10ms

核心算法Rapture Intensity 终点识别算法；Auto Pattern 自动波长检索

配套软件Sigma-P；可选配方设计器

采集方式光纤耦合非接触式采集腔体光谱

3. 产品核心亮点

✅ F/2 高亮凹面光栅光学系统

采用 HORIBA Jobin Yvon 原厂 70mm 凹面全息光栅，聚光效率更高，减少反射损耗，弱等离子工况依然获得充足光谱信号。

✅ 背照式高灵敏 CCD 探测器

2048 通道高分辨率，紫外波段量子效率优异，适合选取干扰少的紫外特征谱线做终点判断。

✅ Rapture Intensity 微弱信号检测算法

可区分噪声与真实工艺变化，精准捕捉极小开口面积蚀刻终点，显著提升浅刻蚀、微细结构工艺终点稳定性。

✅ Auto Pattern 自动波长识别

从海量带噪声光谱数据中自动筛选有效特征波长，大幅缩短新工艺配方调试周期。

✅ 可选配方设计器自动生成检测方案

导入工艺光谱数据即可仿真、优化终点算法，一键导出至 Sigma-P 正式生产配方，降低工程师门槛。

✅ Sigma-P 一体化制程软件平台

支持多条件配方、波形实时显示、终点判定告警、历史光谱重处理、SPC 统计制程反馈，兼顾终点控制与腔体健康诊断。

✅ 光谱数据完整溯源

全程存储原始光谱，支持事后重新套用新配方仿真分析，便于工艺异常复盘、工艺迭代优化。

4. 典型应用领域

半导体晶圆制造：干法蚀刻、硬掩模刻蚀、等离子去胶、PECVD 薄膜沉积终点监控；

显示面板 FPD：TFT 阵列刻蚀、薄膜处理等离子工艺；

MEMS、功率器件、传感器微细加工；

存储芯片、光学器件等离子加工工序。