日本 HORIBA 半导体等离子工艺监测光谱仪

日本 HORIBA 半导体等离子工艺监测光谱仪 日本 HORIBA 半导体等离子工艺监测光谱仪

1. 产品概述

EV 2.0 SMART OES 终点光谱仪是 HORIBA 专为半导体、MEMS、显示面板开发的等离子光发射光谱在线监测系统。

设备依靠采集等离子体特征发射光谱，实时识别刻蚀 / 沉积工艺反应终点，同时持续监控腔体异常、污染、工艺漂移，实现终点自动关停、故障预警。支持单腔至多 6 腔室扩展，兼容 OES 光发射监测与 MWL 多波长干涉测量两种诊断方式，广泛配套干法刻蚀、等离子清洗、PECVD 薄膜沉积设备。

2. 详细规格参数

表格

参数项目技术指标

光谱仪光栅消像差凹面全息光栅

分辨率机型可选LR（低分辨）/ STD（标准分辨）/ HR（高分辨）

焦距LR：20mm；STD/HR：75mm

狭缝宽度50μm

探测器BT CCD（滨松 Hamamatsu）

采集电路JY70，16bit 模数采集

曝光时间1ms ~ 10s 连续可调

信号接入方式SMA 光纤耦合，对接工艺腔体观测窗

硬件接口100Mbps LAN (RJ45 TCP/IP)、Db25 I/O 远程接口、DC 电源

供电规格DC 9~24V，标准配置 24V DC

最大管控腔室最多 6 个处理腔室

配套软件Sigma_P®（Windows10 平台）

软件功能配方编辑器、多波长算法、终点判定、腔体健康监测、最多 8 条曲线同步显示

测量模式OES 光发射光谱法 / MWL 多波长干涉测量

产地法国 HORIBA France SAS

3. 产品核心亮点

✅ 三档分辨率灵活选型

低 / 标准 / 高分辨率光谱版本，适配不同工艺气体、特征谱线分离难度，兼顾响应速度与光谱分辨能力。

✅ 一体化多腔室管控能力

一套主机可扩展监控至多 6 个工艺腔体，降低多腔产线整体设备投入成本。

✅ 专业 Sigma_P 终点算法软件

内置等离子特征谱线开放数据库，可视化配方编辑，可自定义阈值、滤波逻辑，稳定识别工艺终点。

✅ 丰富外部集成接口

工业 LAN 以太网 + 硬件 I/O 远程端口，方便对接半导体设备控制器，实现全自动工艺联动。

✅ 光纤非接触式采集

通过 SMA 光纤远程采集腔体等离子光谱，光谱主机远离高温、腐蚀腔体环境，延长设备寿命。

✅ 双重测量模式兼容

同时支持 OES 等离子发射监测与多波长干涉（INT）薄膜厚度类干涉检测，一台设备适配多类工序。

✅ 紧凑工业机身，设备配套友好

标准化工业箱体结构，便于集成在真空设备机柜内部，满足 Fab 车间安装规范。

4. 典型适用工艺 & 行业

半导体芯片制造：干法刻蚀、等离子清洗、PECVD 薄膜沉积终点侦测；

显示面板 / FPD：薄膜刻蚀、表面等离子处理工艺监控；

MEMS、传感器、功率器件；

存储芯片、逻辑晶圆制造产线；

光伏、光学镀膜等离子工艺过程监测。