日本 HORIBA 半导体腔室清洗红外气体监测仪

日本 HORIBA 半导体腔室清洗红外气体监测仪 日本 HORIBA 半导体腔室清洗红外气体监测仪

1. 产品概述

IR-400 系列是 HORIBA STEC 专为半导体干法制程腔室清洗开发的在线红外气体监测模块，包含两大子型号：

IR-422：双通道方案，可同时监测 SiF₄、CF₄两种气体；标配 200mm 伴热气室

IR-432：紧凑型法兰集成结构，适配狭小排气管路安装

设备安装于工艺腔室排气管路，实时分析尾气反应产物浓度，精准识别腔室清洗终点，避免传统固定时长清洗带来的过度清洗或清洗不问题，广泛应用 PVD、CVD、刻蚀设备。

2. 测量原理

采用成熟非分散红外吸收法（NDIR）

特定气体分子吸收对应波长红外能量，光源穿过加热气室后，探测器检测光强衰减程度换算浓度；一体化伴热结构防止产物冷凝沉积，保障长期连续监测稳定性。

3. 核心功能亮点

✅ 双气体同步检测（IR-422）

同时监控 SiF₄、CF₄，适配硅基薄膜腔体氟系等离子清洗工况。

✅ 高温伴热气室设计

气室最高加热温度可达 180℃，有效防止反应副产物冷凝吸附，减少光学窗口污染，延长维护周期。

✅ 高灵敏度光学检测单元

精准捕捉微量气体浓度变化，提前识别清洗反应完成拐点，实现终点精准触发。

✅ 丰富工业通讯接口

搭载模拟信号 + RS485 数字通讯，无缝对接半导体设备主机、Fab 上位 SCADA 系统。

✅ 两种结构形态可选

IR-422 长光程分体结构；IR-432 紧凑型法兰式，满足不同排气管道布局需求。

✅ 本地状态多重显示

机身自带状态指示灯，现场快速查看设备运行与浓度监测状态。

4. 给产线带来核心价值

缩短腔室清洗循环时间

无需保守设置固定清洗时长，清洗完成即刻结束工艺，提升设备产能 UPH。

大幅减少特种清洗气体消耗量

避免过度等离子蚀刻，降低昂贵氟系清洗气体使用成本。

保护腔室内部零部件

减少长时间等离子轰击，延长电极、内衬、密封圈寿命，降低备件更换频次。

工艺一致性提升

不受腔体前期沉积厚度波动影响，每批次清洗程度保持一致，提升晶圆工艺稳定性与良率。

完整制程数据追溯

持续记录尾气组分曲线，便于工艺开发、异常排查、量产标准化管控。

5. 典型应用场景

硅薄膜 PVD、LPCVD、PECVD 腔室氟等离子清洗终点监控

干法刻蚀腔体尾气产物在线分析

TFT、光伏薄膜沉积设备腔体清洗监测

化合物半导体、功率器件制造干法制程尾气检测