日本Pascal紧凑型激光MBE装置超真空系统

日本Pascal紧凑型激光MBE装置超真空系统 PASCAL/日本 LMBE 特点介绍

易于操作的设计可以轻松控制各种沉积条件

该装置是通过用激光照射放置在超高真空沉积室中的目标材料来进行激光烧蚀，并将该材料沉积在放置在相对位置的基板上以形成沉积膜的装置。

它由成膜室、真空排气系统、靶材旋转单元、红外灯基板加热单元和负载锁定室单元组成。

该装置的特点包括红外灯基板加热装置，即使在氧气气氛（超过500 mTorr）下也可以将基板加热到800°C以上，

而这在以前是很困难的，以及允许样品输送的机构到沉积室而不将其暴露在大气中。

日本Pascal紧凑型激光MBE装置超真空系统 PASCAL/日本 LMBE 规格参数

高度可扩展的超高真空激光 MBE (PLD) 系统

极限真空 6.7×10 -7 Pa以下（5×10 -9 Torr）

配备红外线灯加热装置，可将2英寸板材加热至800℃以上。

6 种类型的目标可用

通过负载锁定室单元在真空中轻松更换靶材和基材

可选端口：可连接各种组件

可选择计算机全自动控制、控制器电手动控制或两者兼有。

成膜室及真空排气系统 腔体形状： φ300mm×500mmH 圆柱形 

极限真空：6.7×10 -7 Pa以下（5×10 -9 Torr） 

磁悬浮涡轮泵800L/s 

 目标旋转单位 φ20mm×6轴 

自转/公转电机驱动（PC控制或电手动控制） 

 基材加热装置 红外线灯基板加热装置　（可改为半导体激光基板加热装置） 

板尺寸：1.5英寸（或2英寸） 

基材加热温度：800℃以上 

 组合掩模单元 无（可选） 

RHEED单位 无（可选） 

负载锁定室单元 腔体形状： φ160mm×240mmH 圆柱形 

传输杆 

存储数量：2个板架、4个靶架