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日本P.R.A.半导体静电卡盘用高压ESC电源

日本P.R.A.半导体静电卡盘用高压ESC电源
电极附近出现反极性电荷,陶瓷表面则感应出同极性电荷。当硅片靠近时,片内诱导电荷与表面电荷相互吸引,产生吸附力。吸力大小与表面电荷量成正比,而电荷量由高压电源精确控制。

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  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2025-12-13
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详细介绍

日本P.R.A.半导体静电卡盘用高压ESC电源
日本P.R.A.半导体静电卡盘用高压ESC电源

  1. 在晶圆静电吸附领域,双极 ESC 电源已成主流,其核心补偿思路如下:
  • 正、负电极对晶圆施加的电压,与等离子体点燃后在晶圆表面产生的 DC self-bias,会在吸合力上造成不平衡。
  • 为此,在 ESC 电源的中心抽头(CT)注入一路“偏置抵消电压",把上述 DC bias 抵消,实现整面均匀吸附。
  1. ESC 是什么?半导体硅片或 LCD 玻璃基板在真空腔室内必须被“无夹持"固定。传统机械爪易划伤、局部应力大;真空吸盘又无法在真空中工作。于是利用静电力:在陶瓷盘内部埋设一对电极,通高压后形成“库仑吸盘",即静电卡盘(ESC)。该方法已广泛用于 PVD、CVD、ETCH 等制程。
  2. 工作原理(图 1)电极附近出现反极性电荷,陶瓷表面则感应出同极性电荷。当硅片靠近时,片内诱导电荷与表面电荷相互吸引,产生吸附力。吸力大小与表面电荷量成正比,而电荷量由高压电源精确控制。
  3. P.R.A. 自制 ESC 电源

半导体前制程专用静电卡盘高压电源

  • 输出电压:±1 kV ~ ±5 kV(连续可调)
  • 输出电流:1 ~ 10 mA
  • 极性:单极 / 双极可选
  • 中心抽头(Bias):Floating / FG / Bias 三种模式
  • 控制方式:本地旋钮 + 外部模拟信号 + 远程数字指令(I/O、RS-232C 等)
  • 符合 RoHS
核心优势
  1. 可直接替换现有电源,保持原接口与安装孔位(Plug-in 兼容)。
  2. 内置过流限制、极性反接保护、电弧放电抑制,显著提升工艺良率。
  3. 支持单口(1-Port)、J-R 型、多通道阵列等各种 ESC 接口。


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