日本 JFE 半导体晶圆高分辨率膜厚测量仪器

日本 JFE 半导体晶圆高分辨率膜厚测量仪器 日本 JFE 半导体晶圆高分辨率膜厚测量仪器

产品概述

核心特点

1. 超高分辨率测量，适配图案化膜层

   设备空间分辨率可达约 5μm，能够清晰呈现晶圆表面图案化区域的膜厚分布细节，满足半导体器件中微小结构的膜层均匀性检测需求。
2. 双模式测量，兼顾效率与精度

• 局部测量：3mm 方形区域，约 30 秒完成测量；

• 全晶圆测量：支持 6 英寸晶圆全表面检测，约 10 分钟完成数据采集与处理；

  20 万点的测定点数，可在短时间内完成大面积膜厚数据的采集与计算。

3. 紧凑台式设计，适配实验室与研发场景

   设备采用可放置于桌面的紧凑型设计，无需大型机台即可部署，适合半导体研发实验室、工艺优化场景使用，降低设备部署门槛与场地要求。
4. 宽量程覆盖，适配薄膜 / 超薄膜检测

   测量膜厚范围为 100nm~10μm，覆盖半导体工艺中常见的超薄膜层（如光刻胶、SiO₂膜、溅射膜等），满足从研发到缺陷检测的全流程应用。

规格参数

主要应用场景

• 半导体晶圆图案化膜层的膜厚分布测量；

• 光刻胶、SiO₂膜、溅射膜等超薄膜层的均匀性检测；

• 半导体工艺研发中的膜层缺陷分析与工艺优化；

• 6 英寸晶圆的非接触式质量控制检测。