日本 HORIBA 半导体晶圆冷却背氦压调节器

日本 HORIBA 半导体晶圆冷却背氦压调节器 日本 HORIBA 半导体晶圆冷却背氦压调节器

1. 产品概述

GR-511F 属于 HORIBA GR-500 系列自动压力调节器，核心应用于半导体静电吸盘（ESC）晶圆背面背氦冷却系统。

晶圆吸附在静电卡盘表面，依靠氦气填充晶圆与卡盘微小间隙实现热传导控温；GR-511F 持续稳定间隙冷却气压，抑制气源波动带来的压力漂移，消除晶圆片内温差，减少刻蚀、薄膜工艺不均、良率波动，适配刻蚀机、PVD、CVD、ALD 等各类工艺设备。

2. 核心功能亮点

✅ 高精度稳定压力闭环控制

内置压力传感与高速阀控算法，压力控制精准、响应平稳，持续维持冷却间隙设定气压。

✅ 可选集成质量流量传感器

同时监测压力与流量，便于预判晶圆贴合泄漏、管路堵塞、密封件老化故障。

✅ 极低泄漏性能

He 泄漏完整性≤7×10⁻¹¹ Pa・m³/s，满足半导体高纯气路严苛泄漏规范。

✅ 模拟信号通讯方案

标准模拟信号接口，兼容存量老款半导体设备控制系统，改造集成便捷。

✅ 优秀配件拓展兼容性

标准 1/4 英寸 VCR 气路接口，可搭配过滤器、单向阀、压力传感器灵活搭建气路。

✅ 符合 RoHS 环保标准

满足晶圆制造工厂 EHS 准入要求。

3. 关键规格参数

阀门类型：常闭 C 型

最大工作压力：300 kPa (A)

耐压：350 kPa (A)

工作温度：5~50℃；精度保证区间 15~40℃

供电：±15 VDC，250 mA；功耗 7.5 VA

适用介质：氦气 He、氩气 Ar、氮气 N₂

标准接头：1/4 英寸 VCR

通讯：模拟信号

4. 产线应用价值

提升晶圆温度均匀性

稳定背氦间隙压力，减小片内热阻差异，改善薄膜厚度、刻蚀速率均一性。

降低热应力引发缺陷

规避气压波动造成局部过热 / 过冷，减少晶圆翘曲、晶格缺陷。

实现冷却工艺数据可追溯

压力、流量数据连续采集，支撑工艺开发、量产异常复盘。

提前预警 ESC 吸附异常

流量曲线异常可快速识别晶圆未贴合、密封圈漏气，减少批量不良。

5. 典型应用场景

干法刻蚀设备 ESC 静电卡盘背氦冷却回路

PVD、ALD、LPCVD 薄膜沉积晶圆温控系统

功率器件、存储芯片、逻辑芯片制造产线

Mini/Micro LED 刻蚀、外延工艺温度控制系统