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日本 东京钻石 多孔玻璃结合金刚石砂轮耗材

日本 东京钻石 多孔玻璃结合金刚石砂轮耗材日本东京钻石 VEGA 多孔玻璃结合金刚石砂轮,专为 SiC、GaN 等化合物半导体晶圆平面粗研磨开发,耐磨性优异,砂轮磨损率低于 15%,支持 6 英寸 SiC 晶圆整加工,兼顾稳定研磨性能与超长使用寿命,有效降低宽禁带半导体晶圆加工成本。

  • 产品型号:VEGA
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2026-08-15
  • 访  问  量:127
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详细介绍

日本 东京钻石 多孔玻璃结合金刚石砂轮耗材 日本 东京钻石 多孔玻璃结合金刚石砂轮耗材

1. 产品性能

VEGA 系列采用磨料组织控制技术,多孔玻璃(Vitribond)结合剂结构,自锐性良好。砂轮磨损率可控制在 15% 以内,相比传统砂轮寿命大幅提升;在 0.6μm/sec 切入速度下保持稳定研磨负荷,研磨后工件表面粗糙度 Ra17~20nm。提供研磨性优先、寿命优先两种版本可选,适配大批量连续生产。可实现 6 英寸 SiC 晶圆整持续加工,减少停机修整工时。

2. 参数参考表

表格

项目规格参数

结合剂类型多孔玻璃(多孔陶瓷)结合

适用粒度#1000~#3000(粗加工 SD2000)

砂轮外形示例246D-2.8W-32P

适配设备东京精密 HRG300 平面研磨机

推荐转速2000~2500rpm

标准切入速度0.6μm/sec

单次切入量150μm

加工后表面粗糙度Ra17~20nm

3. 型号说明

产品系列名称:VEGA(贝加)

细分选型:

研磨性重视型:切削锋利,适合追求加工效率场景

寿命重视型:耐磨性能更强,适合大批量量产加工

砂轮尺寸、粒度、齿形均可按照晶圆设备定制。

4. 加工用途

用于宽禁带半导体晶圆平面粗研磨工序:SiC 晶圆 Si 面粗研磨、晶圆背面 C 面减薄研磨;同时适配 GaN、GaAs、LT/LN 等硬脆化合物半导体基材平面磨削。

5. 使用行业

三代半导体功率器件制造、碳化硅晶圆加工、氮化镓衬底加工、光通信晶体元件加工、半导体材料精密研磨行业。

6. 补充优势

厂商内部具备完整研磨测试评估条件,可配合客户开展试样加工验证;已在 SiC 晶圆量产粗研磨产线拥有成熟应用实绩。

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