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日本toa-esm半导体制造等离子清洁器

日本toa-esm半导体制造等离子清洁器
常压・低温・高速：传统真空工艺无法实现的新表面处理
常压下成膜：无需真空腔，在线连续处理成为可能
低温工艺：树脂、薄膜等热敏基材也可直接成膜
高速聚合：数秒～数十秒即可完成纳米级薄膜沉积

  • 产品型号：CP-Plasner
  • 厂商性质：经销商
  • 更新时间：2025-11-29
  • 访  问  量：7
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详细介绍

日本toa-esm半导体制造等离子清洁器
日本toa-esm半导体制造等离子清洁器

等离子体聚合装置 CP-Plasner
常压・低温・高速：传统真空工艺无法实现的新表面处理
  • 常压下成膜：无需真空腔，在线连续处理成为可能
  • 低温工艺：树脂、薄膜等热敏基材也可直接成膜
  • 高速聚合：数秒～数十秒即可完成纳米级薄膜沉积
  • 绿色环保：干式工艺，无溶剂排放
可沉积单体（示例）
HMDSO、TEOS、TMS、丙烯酸、硅氧烷、氟系单体等
→ 可形成 SiO₂、SiC、类聚丙烯酸、氟碳等纳米涂层
主要应用方向
① 阻气／阻水膜（OLED、封装、光伏背板等）
② 保护膜（电子元件、光学膜、医疗器械）
③ 功能化（提高附着力、控制亲疏水、生物相容性等）
装置规格（CP-Plasner 系列）
  • 处理幅：50 mm～500 mm（可按需求定制）
  • 线速：0.1～10 m/min（取决于目标膜厚）
  • 等离子体功率：1～10 kW（RF／微波可选）
  • 单体供给：微流量精密注入系统，可脉冲或连续
  • 控制：触屏＋PLC，配方管理、数据记录、远程接口完备
工艺支持
  • 提供工艺数据库与初步打样
  • 支持客户自带单体进行验证
  • 可升级为卷对卷（Roll-to-Roll）或批量式设备

气体导入流量调节管道与等离子体点火方法

  • 无论清洁时间长短，真空容器内的压力都不会发生变动。

  • 清洗流程的压力将根据设备规格进行优化，并在事先协商的基础上确定。

稳定等离子体生成

  • 由于压力不变，可产生稳定的等离子体。

  • RF反射量稳定，实现均匀的清洁效果。

一键操作

  • 只要设定清洗条件（RF输出、清洗时间），即可一键完成处理。

  • 搭载操作简便的触控面板，便于菜谱登记和使用情况管理。

  • RF的开关可通过专用开关轻松操作。


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