日本 HORIBA 半导体混合注入式液体汽化仪器

日本 HORIBA 半导体混合注入式液体汽化仪器 日本 HORIBA 半导体混合注入式液体汽化仪器

1. 产品概述

MV-2000 系列为面向半导体薄膜工艺开发的混合注入型液体汽化器，专为各类液体金属有机前驱体、High-k 介质原料供给设计。

传统汽化器高温易造成前驱体热裂解、产生固态杂质；MV-2000 依靠螺旋流换热结构，在较低温度条件下完成充分汽化，保护热敏化学原料，适配 ALD、CVD、PVD 等薄膜沉积设备气源系统。

2. 核心工作原理

介质液体与载气进入螺旋流换热腔体，液体沿螺旋通道持续扰动换热，受热均匀、换热效率提升；无需大幅提升外壁温度即可实现汽化，降低液体源热降解风险，形成稳定饱和蒸汽混合气输送至工艺腔。

3. 核心功能亮点

✅ 螺旋流低温稳定汽化技术

均匀换热，降低加热温度，抑制热敏前驱体高温分解，减少微粒缺陷。

✅ 支持大流量平稳汽化工况

流量区间宽泛，汽化状态持续稳定，工艺重复性优秀。

✅ 适配易热解、High-k 工艺液体源

覆盖多种金属有机、高介电薄膜前驱体材料。

✅ 优异泄漏性能

外部泄漏≤1×10⁻⁸ Pa・m³/s (He)，可选超低漏内部气阀版本。

✅ 耐腐蚀洁净流道

过流材质 SUS316L、PFA，适配多数有机液体化学品。

✅ 标准化 VCR 高纯接口

液体入口、载气入口、蒸汽出口采用半导体行业通用 VCR 接头，气路集成便捷。

4. 关键规格参数

适用液体：不含 HF、HCl 等强腐蚀不锈钢介质的各类化学品

温控上限：控制阀最高 140℃，汽化腔体最高 200℃

耐压：1MPa (G)

外部泄漏完整性：≤1×10⁻⁸ Pa・m³/s (He)

内部泄漏：标准≤1×10⁻⁶ Pa・m³/s；可选超低泄漏阀≤1×10⁻⁹ Pa・m³/s

接口规格：液体入口 1/8VCR，载气入口 1/4VCR，气体出口 1/2VCR

工作环境温度：15~50℃

5. 典型应用场景

ALD、CVD 半导体 High-k 栅介质、金属栅薄膜制程

化合物半导体、功率器件前驱体蒸汽供给

存储芯片、逻辑芯片薄膜沉积工艺

光伏、优良显示薄膜制备前驱体输送系统