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日本full-tech薄膜沉积超小型实验用CVD装置

日本full-tech薄膜沉积超小型实验用CVD装置
CVD(化学气相沉积)是一种薄膜制备技术,通过将气态前驱物引入加热的基板表面,使其发生化学反应并沉积形成固态薄膜。

  • 产品型号:FT-1200CVD
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2026-02-09
  • 访  问  量:10
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详细介绍

日本full-tech薄膜沉积超小型实验用CVD装置 

日本full-tech薄膜沉积超小型实验用CVD装置 

超小型实验用CVD装置 FT-1200CVD
(Ultra-Compact Experimental CVD System)
CVD = Chemical Vapor Deposition(化学气相沉积)

什么是CVD装置?

CVD(化学气相沉积)是一种薄膜制备技术,通过将气态前驱物引入加热的基板表面,使其发生化学反应并沉积形成固态薄膜。

技术规格

参数规格
型号FT-1200CVD
温度1,200℃
常用温度范围室温~1,100℃
使用炉芯管外径34mm × 800mm 高纯度石英管
均热区长度150mm
温度设定精度±1℃以内
加热元件Kanthal AF(铁铬铝合金,耐高温抗氧化)
加热驱动数字晶闸管(相位角控制)

具体用途

1. 薄膜制备(核心功能)

薄膜类型应用示例
碳纳米管(CNT)复合材料增强、导电材料
石墨烯电子器件、传感器
氮化硅(Si₃N₄)半导体钝化层、耐磨涂层
氧化硅(SiO₂)绝缘层、光学涂层
金属薄膜(钨、钛等)集成电路互连、阻挡层

2. 材料改性

  • 表面涂层:提高硬度、耐腐蚀性
  • 掺杂处理:改变半导体电学性能

3. 纳米材料合成

  • 纳米线、纳米颗粒的气相合成

产品特点

特点优势
超小型设计适合实验室桌面使用,节省空间
高纯度石英管防止污染,保证薄膜纯度
150mm均热区确保基板温度均匀,薄膜质量一致
±1℃精度精确控制反应温度,提高工艺重复性
模块化选配件根据实验需求灵活配置

典型用户

用户类型应用场景
大学研究室新材料开发、纳米技术研究
半导体企业研发工艺验证、新器件开发
材料科学研究所薄膜材料性能研究
初创企业小批量样品制备、技术验证



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